| Osa number : | ZXMN3G32DN8TA |
|---|---|
| Tootja / bränd : | Diodes Incorporated |
| Kirjeldus : | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
| RoHSi staatus : | Plii vaba / RoHS vastavuses |
| Saadaval olev kogus | 57007 pcs |
| Andmelehed | ZXMN3G32DN8TA.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Pakkuja seadme pakett | 8-SO |
| Seeria | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Võimsus - maks | 1.8W |
| Pakend | Cut Tape (CT) |
| Pakett / kott | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muud nimed | 1034-ZXMN3G32DN8CT |
| Töötemperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Paigaldus tüüp | Surface Mount |
| Niiskuse tundlikkuse tase (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tootja Standardne pliiaeg | 26 Weeks |
| Lead Free status / RoHS staatus | Lead free / RoHS Compliant |
| Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds | 472pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| FET tüüp | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funktsioon | Logic Level Gate |
| Vooluallikas (Vdss) | 30V |
| Täpsem kirjeldus | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO |
| Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C | 5.5A |
Diodes Incorporated
