| Osa number : | SI5920DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Tootja / bränd : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Kirjeldus : | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
| RoHSi staatus : | Plii vaba / RoHS vastavuses |
| Saadaval olev kogus | 4349 pcs |
| Andmelehed | SI5920DC-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Pakkuja seadme pakett | 1206-8 ChipFET™ |
| Seeria | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Võimsus - maks | 3.12W |
| Pakend | Tape & Reel (TR) |
| Pakett / kott | 8-SMD, Flat Lead |
| Muud nimed | SI5920DC-T1-GE3TR |
| Töötemperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Paigaldus tüüp | Surface Mount |
| Niiskuse tundlikkuse tase (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lead Free status / RoHS staatus | Lead free / RoHS Compliant |
| Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds | 680pF @ 4V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| FET tüüp | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funktsioon | Logic Level Gate |
| Vooluallikas (Vdss) | 8V |
| Täpsem kirjeldus | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Baasosa number | SI5920 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
