| Osa number : | EPC2110 |
|---|---|
| Tootja / bränd : | EPC |
| Kirjeldus : | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| RoHSi staatus : | Plii vaba / RoHS vastavuses |
| Saadaval olev kogus | 28253 pcs |
| Andmelehed | EPC2110.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Pakkuja seadme pakett | Die |
| Seeria | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 5V |
| Võimsus - maks | - |
| Pakend | Cut Tape (CT) |
| Pakett / kott | Die |
| Muud nimed | 917-1152-1 |
| Töötemperatuur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Niiskuse tundlikkuse tase (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tootja Standardne pliiaeg | 14 Weeks |
| Lead Free status / RoHS staatus | Lead free / RoHS Compliant |
| Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| FET tüüp | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET funktsioon | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vooluallikas (Vdss) | 120V |
| Täpsem kirjeldus | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die |
| Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
EPC
