| Osa number : | DGD2103AS8-13 |
|---|---|
| Tootja / bränd : | Diodes Incorporated |
| Kirjeldus : | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
| RoHSi staatus : | Plii vaba / RoHS vastavuses |
| Saadaval olev kogus | 56323 pcs |
| Andmelehed | DGD2103AS8-13.pdf |
| Pinge - varustus | 10 V ~ 20 V |
| Pakkuja seadme pakett | 8-SO |
| Seeria | - |
| Tõusu / languse aeg (tüüp) | 100ns, 50ns |
| Pakend | Cut Tape (CT) |
| Pakett / kott | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muud nimed | DGD2103AS8-13DICT |
| Töötemperatuur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Juhtide arv | 2 |
| Paigaldus tüüp | Surface Mount |
| Niiskuse tundlikkuse tase (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Lead Free status / RoHS staatus | Lead free / RoHS Compliant |
| Sisendi tüüp | Non-Inverting |
| Kõrgsurvepinge - Max (Bootstrap) | 600V |
| Väravüüp | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Juhitud konfiguratsioon | Half-Bridge |
| Täpsem kirjeldus | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| Praegune - Peak väljund (allikas, valamu) | 290mA, 600mA |
| Kanali tüüp | Independent |
